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东芝推出采用TOLL封装的650V第三代SiC MOSFET

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET,搭载其最新的第三代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备,例如开关电源和光伏发电机的功率调节器。MOSFET“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”即日起批量出货。

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图片来源: 东芝

这些新产品是东芝第三代SiC MOSFET,采用通用表面贴装TOLL封装,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比,该封装可将器件体积缩小80%以上,并提高设备的功率密度。

TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗,有助于降低开关损耗。作为四端子封装,开尔文连接可用作栅极驱动的信号源端子。这降低了封装内源极线电感的影响,实现了高速开关性能;以TW048U65C为例,其导通损耗和关断损耗分别比东芝现有产品低约55%和25%,这将有助于降低设备的功率损耗。

东芝将继续扩展其产品线,为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

应用

  • 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源

  • 电动汽车充电站

  • 光伏逆变器

  • 不间断电源

特性

  • 表面贴装TOLL封装:支持设备小型化和自动化装配。低开关损耗。

  • 东芝第三代SiC MOSFET:

- 优化漂移电阻和沟道电阻比,实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷

- 低二极管正向压降:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

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